RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL51264BA1339.16FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link