RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
56
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2138
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link