RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2363
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link