RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2363
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link