RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link