RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
54
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link