RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
64
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2103
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link