RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lenovo 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link