RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link