RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3521
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link