RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3832
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link