RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
21.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4612
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link