RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link