RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2034
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL7-7-7 2GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link