RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2548
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link