RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
55
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
55
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2293
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology AD63I1C1624EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link