RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
59
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2225
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link