RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965516-048.A00LF 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link