RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2959
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link