RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3397
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link