RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3689
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link