RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,681.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,204.9
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,681.5
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
324
2277
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link