RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1411
3138
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Porównanie pamięci RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link