RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
3784
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link