RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
3699
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link