RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
3288
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link