RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
4167
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link