RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
26
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.2
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
16
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
21.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
3952
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link