RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2113
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link