RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2045
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link