RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2468
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link