RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2336
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link