RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2320
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link