RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2757
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link