RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1922
3509
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link