RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2545
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link