RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3317
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link