RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
100
Wokół strony 78% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
100
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1479
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link