RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
70
Wokół strony -204% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,080.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,761.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,080.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
256
2960
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB Porównanie pamięci RAM
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link