RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
61
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,670.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,529.3
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
517
2319
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link