RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
61
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,670.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,529.3
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.4
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
517
3909
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link