Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 13.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 54
    Wokół strony -100% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.8 left arrow 1,346.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    54 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,680.1 left arrow 13.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,346.6 left arrow 9.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    531 left arrow 2323
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania