RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
3415
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link