RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
23.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
4124
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link