RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
3356
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link