RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
22.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.1
2,160.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
20.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
4421
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link