RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,475.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
56
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8800
Wokół strony 2.91 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
25600
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
3509
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link