RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,475.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
56
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8800
Wokół strony 1.93 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
17000
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
3748
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link