RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
71
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,475.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8800
Wokół strony 2.18 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
19200
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
1902
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link