RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,475.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
56
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8800
Wokół strony 1.93 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
17000
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
2330
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link