RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1824
1891
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link