RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
57
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
32
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3279
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link